收藏本站
RP1E050RP
? Electrical characteristics (Ta = 25 ? C)
　
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
-
Typ.
-
Max.
? 10
Unit
? A
Conditions
V GS = ? 20V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS
? 30
-
-
V
I D = ? 1mA, V GS =0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
I DSS
V GS (th)
-
? 1.0
-
-
? 1
? 2.5
? A
V
V DS = ? 30V, V GS =0V
V DS = ? 10V, I D = ? 1mA
Static drain-source on-state
resistance
R DS (on) *
-
-
-
36
52
58
50
72
80
I D = ? 5A, V GS = ? 10V
m ? I D = ? 2.5A, V GS = ? 4.5V
I D = ? 2.5A, V GS = ? 4.0V
Forward transistor admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
l Y fs l *
C iss
C oss
C rss
t d(on) *
t r *
t d(off) *
t f *
Q g *
Q gs *
Q gd *
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
850
120
120
9
25
55
30
9.2
2.4
3.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
I D = ? 5A, V DS = ? 10V
V DS = ? 10V
V GS =0V
f=1MHz
I D = ? 2.5A, V DD ? 15V
V GS = ? 10V
R L =6.0 ?
R G =10 ?
I D = ? 5A, V DD ? 15V
V GS = ? 5V R L =3.0 ?
R G =10 ?
*Pulsed
? Body diode characteristics (Source-Drain) (Ta = 25 ? C)
Parameter
Forward Voltage
Symbol
V SD *
Min.
-
Typ.
-
Max.
? 1.2
Unit
V
Conditions
I s = ? 5A, V GS =0V
*Pulsed
www.rohm.com
?20 10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2/5
2010.07- Rev.B
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
RP1E090RPTR MOSFET P-CH 30V 9A MPT6
RP1E100RPTR MOSFET P-CH 30V 10A MPT6
RPM-012PBT97 PHOTOTRANSISTOR SIDE VIEW SMD
RPM-20PBM PHOTOTRANSISTOR 800NM SIDE VIEW
RPM-22PB PHOTOTRANSISTOR 800NM SIDE VIEW
RPM5340-H14E2A RECEIVER REMOTE 40KHZ SMD SIDE
RPM5540-H12E4A MOD REMOTE CTRL RX 40.0KHZ TOP
RPM6938 RECEIVER REMOTE 37.9KHZ RSIP-A3
相关代理商/技术参数
RP1E070XN 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch MOSFET
RP1E070XNTCR 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7A MPT6
RP1E075RP 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET
RP1E075RPTR 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7.5A MPT6
RP1E090RP 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET
RP1E090RPTR 功能描述:MOSFET Pch -30V -9A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RP1E090XN 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch MOSFET
RP1E090XNTCR 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A MPT6